部署导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺，在需求爆发的同时，全球8英寸成熟制程产能持续收缩，上游原材料和代工封测成本全线上涨，功率半导体正面临供需两端的挤压。英飞凌、德州仪器（TXN.US）等海外厂商率先发布涨价函，国内厂商随后跟涨。其中，宏微科技（688711.SH）方面表示，已对部分IGBT提价约10%；捷捷微电（300623.SZ）MOSFET产品此前已上调10%-20%，IGBT产品自本
400-1200倍，原料成本仅为锂的1/50，且我国资源自给充足，规避锂价波动风险。 其次是工艺技术。集流体用铝箔替代铜箔可直降15%成本，层状氧化物、煤基硬碳等材料量产成熟，良率从85%提升至95%+。 最后是规模量产。2026年中国总产能突破80GWh，头部企业单条产线达10GWh级，储能项目中标价
nbsp; 据报道，2026年开年以来，功率半导体行业迎来一轮密集涨价潮。此轮涨价的主要原因是AI专用数据中心的部署导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺，在需求爆发的同时，全球8英寸成熟制程产能持续收缩，上游原材料和代工封测成本全线上涨，功率半导体正面临供需两端的挤压。英飞凌、德州仪器（TXN.US）等海外厂商率先发布涨价函，国内厂商随后跟涨。其中，宏微科技（6
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发布时间：07:12:15
